特點： 觸摸屏絲網(wǎng)印刷工藝中常見的問題有：著墨不良、圖像變形、邊緣缺陷、尺寸過大以及位移、疊印、網(wǎng)痕、龜裂、粘頁、糊版、漏墨等等。我公司推出的MicroV系列觸摸屏導電銀漿激光刻蝕機應用于觸摸屏的加工，突破了絲網(wǎng)印刷布線工藝在加工觸摸屏的復雜性和精度上的限制。 MicroV觸摸屏導電銀漿激光刻蝕機是利用激光對附著在觸摸屏上的導電銀漿膜實施剝離和加工布線的精密尖端設備。MicroV設備采用已經(jīng)授權(quán)的發(fā)明專利ZL200910060666.5，實用新型專利ZL200920083580.X，外觀專利ZL201130019233.3等專利。MicroV設備采用固體激光器，可選激光波長1064nm、532nm、355nm等，適合對導電玻璃與鍍層進行精細刻線；采用自主研發(fā)的控制軟件、直接導入觸摸屏CAD 數(shù)據(jù)進行激光切割，操作簡單，方便快捷；采用通過軟件實時調(diào)節(jié)振鏡與直線電機、電動升降工作臺的設計，加上真空吸附托盤裝置，能有效地解決觸摸屏等在加工運行中的平穩(wěn)性；采用獨特除塵系統(tǒng)設計，能保證玻璃與工作平面的清潔。 MicroV設備集數(shù)控技術(shù)、激光技術(shù)、軟件技術(shù)等光機電高技術(shù)于一體，具有高靈活性、高精度、高速度等先進制造技術(shù)的特征。可大范圍內(nèi)進行各種圖案，各種尺寸的精密、高速刻蝕，并且能夠保證很高的產(chǎn)能，是一個可靠、穩(wěn)定和具有高性能價格比的產(chǎn)品。 應用領(lǐng)域: 玻璃基底上薄膜處理，手機、觸摸屏、薄膜太陽能電池、其它顯示屏、PET(Poly Ethylene Terephthalate)基底上導電銀漿、ITO薄膜處理。 技術(shù)參數(shù)： 激光器 光纖激光器 激光波長 1064nm 激光功率 10W/20W 刻蝕線寬 <40μm 刻蝕速度 2500mm/s 加工范圍 500mmX500mm （可好根據(jù)客戶要求定制） 功率消耗 ＜2KW CCD自動定位精度 ±2μm 直線電機工作臺定位精度 ±1μm 單次加工幅面 140*140mm