硅棒\硅錠紅外探傷儀 
型號：進(jìn)口。
該 紅外探傷儀是針對太陽能硅塊，實現(xiàn)快速、無接觸的缺陷檢測。檢測的缺陷類型包括： 裂紋和空洞、SiC雜質(zhì)、 微晶聚集結(jié)構(gòu)、金屬沉淀。  
 
產(chǎn)品特點     
■ 系統(tǒng)操作簡單、便捷
■ 線掃描模式的高分辨率紅外CCD 探測器；
■ 硅塊掃描尺寸最大至400×210×210mm；
■ 適應(yīng)非拋光及拋光硅塊樣品；
■ 具有30s/塊，5s/面的高速檢測速度；
■ 100μm 高精度缺陷定位；
■ 集成驅(qū)動馬達(dá)，自動旋轉(zhuǎn)樣品臺，實現(xiàn)硅錠4 側(cè)面的自動測試；
■ 提供自動、手動兩種檢測模式，方便對缺陷區(qū)域進(jìn)行快速精確定位；
■ 特有校準(zhǔn)模板，可以消除系統(tǒng)光學(xué)像差，提高缺陷定位精度；
■ 可調(diào)紅外光源光強(qiáng)，提高缺陷識別分辨率；
■ 系統(tǒng)軟件能夠自動識別硅錠缺陷，幫助分析缺陷類型；
■ 系統(tǒng)軟件能夠精確定位硅錠缺陷，并可將其轉(zhuǎn)換為三維（3D）模型圖像；
■ 提供硅錠尺寸掃描功能(Option)；
■ 提供硅錠崩邊缺陷探測功能 (Option)；
■ 提供電阻率掃描功能（Option）。

 
技術(shù)指標(biāo)     
■ 測試缺陷：裂紋，雜質(zhì)，空洞，微晶區(qū)等；
■ 掃描模式：線掃描；
■ 測試速度：30s/塊，5s/面；
■ 測試尺寸：400×210×210mm；
■ 定位精度：＜100μm；
■ 定位重復(fù)性：30μm；
■ 分辨率：1000×2600px；
■ 定位精度：100μm；
■ 系統(tǒng)重量：280kg；
■ 電能：230/110Vac50/60Hz；
■ 最大功耗：1500W。