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項目所在地：西安高新區(qū)洨河北路1999號三星（中國）半導(dǎo)體有限公司現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)
主要建設(shè)內(nèi)容：三星（中國）半導(dǎo)體有限公司擬投資30億美金，在西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)已建成的12英寸閃存芯片項目現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)建設(shè)12英寸閃存芯片增資擴產(chǎn)項目。本項目在充分利用現(xiàn)有生產(chǎn)線及配套附屬設(shè)施的基礎(chǔ)上，沿用現(xiàn)有生產(chǎn)工藝技術(shù)，引入3D NAND工藝，對全廠產(chǎn)品指標(biāo)進(jìn)行了升級，新增勞動定員340人，通過補充工藝設(shè)備、儀器，增加與之配套的配管、配線，補充部分動力設(shè)施，實現(xiàn)產(chǎn)能的提升。項目建成后，可將12英寸閃存芯片的產(chǎn)能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升至9萬片/月。
項目簡介：
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司擬投資30億美金，在西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)已建成的12英寸閃存芯片項目現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)建設(shè)12英寸閃存芯片增資擴產(chǎn)項目。本項目在充分利用現(xiàn)有生產(chǎn)線及配套附屬設(shè)施的基礎(chǔ)上，沿用現(xiàn)有生產(chǎn)工藝技術(shù)，引入3D NAND工藝，對全廠產(chǎn)品指標(biāo)進(jìn)行了升級，新增勞動定員340人，通過補充工藝設(shè)備、儀器，增加與之配套的配管、配線，補充部分動力設(shè)施，實現(xiàn)產(chǎn)能的提升。項目建成后，可將12英寸閃存芯片的產(chǎn)能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升至9萬片/月。
企業(yè)性質(zhì)：股份制   申報方式：備案制   審批機關(guān)：西安環(huán)保局