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高能球磨與攪拌法制備納米SiCp/ZL101復(fù)合材料

 肖  攀  呂書林  吳樹森  方曉剛  趙  立

(華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)

摘要采用高能球磨與攪拌鑄造相結(jié)合的方法制備艾了納米SiCp/ZL101鋁基復(fù)合材料。利用干磨式高能球磨設(shè)備制備SiC。/Al復(fù)合顆粒,獲得納米SiC彌散分布的近球狀SiCp/Al復(fù)合顆粒,其直徑在0.5~1.5 mm之間。隨后通過攪拌鑄造方法將復(fù)合顆粒加入Al- Si合金熔體重熔稀釋,制備出SiCp含量為0.5%的納米SiCp/ZL101復(fù)合材料。在100 MPa成形壓力下,擠壓鑄造復(fù)合材料的鑄態(tài)抗拉強(qiáng)度和伸長(zhǎng)率分別為233.3 MPa和5.27%,較同等條件下基體合金分別提高了10. 94%和2.73%。

 SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料具有質(zhì)量輕、硬度高、比強(qiáng)度和比剛度高等優(yōu)異性能,在航空航天、汽車等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。研究表明,增強(qiáng)相顆粒尺寸越小,增強(qiáng)效果越好;納米SiC顆粒在含量很低時(shí)即對(duì)Al有明顯的強(qiáng)化作用。

 外加法制備納米陶瓷顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的主要難點(diǎn)在于納米陶瓷顆粒與金屬基體的潤(rùn)濕性差,阻礙了其應(yīng)用。高能球磨有望改善兩者之間的潤(rùn)濕性;目前高能球磨絕大多數(shù)為添加過程控制劑(PCA)的濕磨法,以降低冷焊程度,復(fù)合粉末經(jīng)過不斷重復(fù)的變形冷焊、破碎過程最終達(dá)到平衡,復(fù)合粉末得到細(xì)化。但是PCA在劇烈的碰撞過程中會(huì)分解生成大量氣體,或者與球磨粉末發(fā)生反應(yīng)生成碳化物等。攪拌法制備SiCp/Al基復(fù)合材料時(shí),100 μm以下的復(fù)合粉末不能完全添加到金屬熔體中。這是因?yàn)槲⒚准?jí)復(fù)合顆粒中,雖然增強(qiáng)顆粒能夠在基體粉末中實(shí)現(xiàn)一定程度的均勻分布,但細(xì)小的復(fù)合粉末很難與熔體潤(rùn)濕,而且,粒徑為微米級(jí)的復(fù)合粉末的比表面積大,加入熔體時(shí)其表層氧化嚴(yán)重,容易形成Al2 03層,阻礙與熔體的潤(rùn)濕。為此,本研究采用干磨式高能球磨法制備納米SiC均勻分布的毫米級(jí)SiCp/Al復(fù)合顆粒。毫米級(jí)復(fù)合顆粒表面光滑,有金屬光澤,很容易加入金屬熔體中。以毫米級(jí)復(fù)合顆粒為載體將納米SiC顆粒添加到鋁合金熔體中,避免了復(fù)合顆粒與鋁合金基體的潤(rùn)濕性問題,發(fā)揮了攪拌鑄造低成本的優(yōu)勢(shì)。

1  試驗(yàn)材料與方法

1.1試驗(yàn)材料

 球磨試驗(yàn)采用平均粒徑為40 nm的SiC粉,純度>99. 9%,30 μm的純鋁粉,純度≥99. 85%。攪拌鑄造試驗(yàn)采用Al- Si合金、Al錠、Mg錠為原材料。

 圖1為SiC粉、AI粉的原始形貌SEM圖。從圖la可以看出,納米SiC原始粉末是團(tuán)聚在一起的。

1.2  干磨法制備納米SiCp/Al復(fù)合顆粒

 將納米SiC粉置于150℃烘干箱中烘烤2h,然后取100 g的Al粉與4g的SiC粉置于500 mL不銹鋼真空罐中混合,SiC粉與鋁粉的體積比約為1:2,配以適當(dāng)大小不銹鋼磨球。抽真空后置于QM-3SP4行星式球磨機(jī)上進(jìn)行高能球磨試驗(yàn)。試驗(yàn)采取間歇式方式,一個(gè)球磨周期中,球磨th,停機(jī)25 min。分別在球磨停機(jī)期間取樣,球磨14 h之后取出復(fù)合顆粒。

1.3  納米SiCp/ZL101復(fù)合材料的制備

 將一定量的Al-Si合金、純Al塊、Mg塊在石墨坩堝中熔化,高純Ar氣除氣10 min,然后通過機(jī)械攪拌法將球磨得到的近球狀復(fù)合顆粒加入到700℃的金屬熔體中,得到6 kg復(fù)合熔體。待復(fù)合顆粒完全熔化后,通入高純Ar氣除氣15 min,720℃澆注到預(yù)熱至200℃的模具中,采用直接擠壓鑄造,在0~100 MPa的壓力下凝固,得到尺寸為φ30 mm×100 mm的鑄件。

2  試驗(yàn)結(jié)果及分析

2.1  納米SiC在復(fù)合顆粒中的分布影響

 圖2為高能球磨14 h后得到的SiCp/Al復(fù)合顆粒,其形狀為近球狀,直徑在0. 5~1.5 mm之間。

 將SiCp/Al復(fù)合顆粒進(jìn)行鑲樣、粗磨、細(xì)磨、精磨、拋光,然后用體積分?jǐn)?shù)為0. 5%的HF水溶液腐蝕3~5s。

 圖3為SiCp/Al復(fù)合顆粒的SEM照片。對(duì)尺寸在100 nm以下的亮白色顆粒進(jìn)行EDS能譜分析(見圖4a),表明其為SiC。圖3中發(fā)現(xiàn)了極個(gè)別界面輪廓分明,一個(gè)方向的尺寸在1μm左右的大顆粒(新生相),其EDS能譜分析(見圖4b)表明該相可能為Al4 C3。將復(fù)合顆粒磨成粉末進(jìn)行了XRD分析(見圖4c),由于Al4 C3的量很少,只檢測(cè)到了Al與SiC的衍射峰。結(jié)合圖3與圖4可知,在SiCp/Al復(fù)合顆粒中,SiC顆粒能均勻分布在鋁基體中。

 高能球磨混合粉末中納米SiC粉與微米級(jí)Al粉的體積比約為1:2,而球磨混合粉末中亞微米SiC粉的質(zhì)量分?jǐn)?shù)達(dá)到10%甚至更高,此時(shí)SiC粉的體積已經(jīng)大于Al粉的體積,Al粉并不能完全包覆SiC顆粒。制備出的SiCp/Al復(fù)合顆粒,SiC能均勻的分布在鋁基體中,為SiC在鋁合金熔體中的均勻分布奠定了基礎(chǔ)。

2.2  近球狀復(fù)合顆粒的形成過程分析

 近球狀復(fù)合顆粒的形成可分為3個(gè)過程:混合粉末宏觀上均勻混合、SiC顆粒微觀上彌散分布、復(fù)合顆粒形貌尺寸達(dá)到平衡;旌戏勰┖暧^上均勻混合是高能球磨初期,由于磨球的高速無規(guī)則碰撞,使復(fù)合粉末充分混合,SiC顆粒均勻的吸附或鑲嵌在微米Al粉的表面(見圖5a)。此時(shí),Al粉顆粒的尺寸無明顯變化。納米SiC顆粒微觀上彌散分布時(shí)繼續(xù)高能球磨,球磨時(shí)一方面Al粉發(fā)生塑性變形,表面的SiC顆粒嵌入Al粉中,結(jié)合更加緊密;另一方面,沒有添加PCA,Al粉塑性好,變形Al粉冷焊在一起,復(fù)合顆粒尺寸不斷增大達(dá)到毫米級(jí)別,納米SiC鑲嵌到Al顆粒內(nèi)部(見圖5b)。高能球磨14 h之后,混合粉末已經(jīng)完全轉(zhuǎn)變?yōu)楹撩准?jí)的近球狀復(fù)合顆粒(見圖2)。繼續(xù)球磨,復(fù)合顆粒的形貌基本不再變化,只是摻雜的毫米級(jí)碎片數(shù)量會(huì)有所增加。因?yàn)橐环矫婺デ虮砻娴睦浜附饘賹颖慌鲎蚕聛沓蔀槠瑺;另一方面少?shù)已經(jīng)形成的近球狀顆粒也會(huì)被碰撞擠壓成片狀。

2.3轉(zhuǎn)速與球料比對(duì)鋁粉冷焊粘球粘壁的影響

 表1為不同轉(zhuǎn)速與球料比球磨14 h,磨球與罐壁表面的冷焊情況。由于是干磨法,Al粉塑性較好,經(jīng)歷磨球劇烈的摩擦碰撞,Al粉變形冷焊長(zhǎng)大。在高轉(zhuǎn)速(260~360 r/min)或低轉(zhuǎn)速(180~240 r/min)下,磨球表面都有不同程度的冷焊金屬。值得注意的是,球料比為(8~10):1時(shí),罐壁表面無冷焊,球料比為(3~5):1時(shí),高低轉(zhuǎn)速下罐壁表面均有不同程度的冷焊金屬。這是因?yàn)楫?dāng)球料比為(3~5):1時(shí),磨球數(shù)量比較少,球磨過程中,磨球在罐內(nèi)從下到上的分布數(shù)量是逐漸減少的,當(dāng)球料比為(8~10):1時(shí),較多數(shù)量的磨球足以分布在罐內(nèi)不同高度,磨球與罐壁的劇烈摩擦足以將某一時(shí)刻粘在罐壁表面的金屬迅速打磨下來,而不會(huì)在罐壁中上方越粘越多。

2.4  納米SiCp/ZL101鑄件的顯微組織

 在鑄件距離上端面10 mm的中心位置取樣。圖6為基體ZL101鋁合金與SiC含量為0.5%的SiCp/ZL101復(fù)合材料在同一條件下的擠壓鑄件金相組織?梢钥闯,主要由a-Al與共晶組織組成,a-Al均為樹枝晶。相對(duì)于基體合金,添加SiC后樹枝晶得到明顯細(xì)化,因?yàn)镾iC顆粒無法被生長(zhǎng)的晶粒捕捉,凝固后期被排擠在晶界或共晶組織中,但對(duì)晶粒的長(zhǎng)大有一定的阻礙作用。

 圖7為同一條件下ZL101合金與SiC含量為0. 5%的SiCp/ZL101復(fù)合材料的SEM圖?梢钥闯觯{米SiC顆粒(見圖7b中白色區(qū)域)主要分布在共晶Si周圍。加入納米SiC顆粒后,部分共晶Si截面由長(zhǎng)條狀變?yōu)槎唐瑺睿床糠止簿i得到細(xì)化。

 圖8為SiC顆粒在不同大小共晶Si周圍分布的高倍SEM圖。可見細(xì)化共晶Si周圍分布的SiC顆粒較多,未細(xì)化共晶Si周圍的SiC顆粒較少,但是二者周圍的SiC顆粒都能均勻分布。由此認(rèn)為細(xì)化共晶Si的形成是因?yàn)閺?fù)合材料在凝固過程中SiC顆粒被推移到晶界處,當(dāng)最后的共晶凝固部位聚集較多的SiC顆粒時(shí),共晶Si的生長(zhǎng)受到阻礙而得到細(xì)化。

2.5 SiCp/ZL101鑄件的鑄態(tài)力學(xué)性能

 表2為SiCp含量為0.5%的SiC/ZLl01復(fù)合材料和ZL101合金在不同工藝條件下的鑄態(tài)力學(xué)性能。100 MPa下復(fù)合材料的鑄態(tài)抗拉強(qiáng)度和伸長(zhǎng)率分別達(dá)到了233.3 MPa、5.27%,比O MPa下基體分別提高了20. 26%和21.71%;抗拉強(qiáng)度比100 MPa下基體提高了10.94%。值得注意的是在沒有施加壓力時(shí),復(fù)合材料的抗拉強(qiáng)度為166 MPa,較基體下降了14. 43%,這是因?yàn)闆]有施加壓力的復(fù)合材料凝固時(shí),由于相同的試樣沒有冒口,不利于復(fù)合材料試樣的補(bǔ)縮,因此試樣內(nèi)部不夠致密。100 MPa下復(fù)合材料與基體合金的伸長(zhǎng)率分別為5. 27%、5.13%,僅提高了2.73%,這說明在保證復(fù)合材料致密的情況下,0.5%含量的納米SiC顆粒對(duì)復(fù)合材料的伸長(zhǎng)率影響不明顯。

 SiC顆粒的加入對(duì)基體的強(qiáng)化作用體現(xiàn)在兩個(gè)方面:細(xì)晶強(qiáng)化與位錯(cuò)強(qiáng)化。復(fù)合材料凝固過程中,SiC顆粒不能被固液界面捕捉,而是富集在固液界面液相側(cè),阻礙晶粒的長(zhǎng)大,晶粒得到細(xì)化,晶界增多,阻礙位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng),從而阻礙材料的塑性變形,提高強(qiáng)度。根據(jù)Orowan強(qiáng)化模型,當(dāng)運(yùn)動(dòng)位錯(cuò)與SiC顆粒相遇時(shí),位錯(cuò)將繞過SiC顆粒在其周圍留下一個(gè)位錯(cuò)環(huán),這個(gè)過程需要額外做功,同時(shí)位錯(cuò)環(huán)將對(duì)后續(xù)位錯(cuò)產(chǎn)生進(jìn)一步的阻礙作用,這些都將導(dǎo)致材料強(qiáng)度的提高。

3  結(jié)  論

 (1)采用于磨式高能球磨,可以獲得SiC顆粒彌散分布的毫米級(jí)近球狀SiCp/Al復(fù)合顆粒。

 (2)利用高能球磨顆粒在鋁熔液中的重熔及機(jī)械攪拌法,避免了外加法潤(rùn)濕性差等問題,可制備出顆粒均勻分布的納米SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料。

 (3) SiCp含量為0.5%的ZL101鋁基復(fù)合材料,在重力成形時(shí),抗拉強(qiáng)度為166 MPa,較同等條件下基體ZL101合金下降了14. 43%;在100 MPa壓力下成形時(shí),抗拉強(qiáng)度為233.3 MPa,較同等條件下基體提升10.94%,較重力成形得到的基體提升2.73%。

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